АВ 2008г. Выпуск 5 Возможные пути возрождения электроники в России
Гатчинский Центр Наноэлектроники - пример создания инкубационного центра гражданской электроники
Проект ГЦН предусматривает поэтапное создание нового научно-технологического центра гражданской электронной промышленности с полным циклом разработки и производства при возможном партнерстве с одним из лидеров мировой индустрии и привлечением носителей технологии, как российских, так и иностранных специалистов из ведущих мировых центров развития микроэлектроники.
Особенности географического расположения в Северо-Западном регионе позволяют постепенно превратить этот центр электронной промышленности в глобальный инновационный парк мирового значения, который может радикально изменить положение РФ в мировом разделении труда.
Концепция поэтапного развития предусматривает скорее ускоренный эволюционный подход по сравнению с традиционным революционным подходом, использованном при индустриализации 30-х годов. Причем она предусматривает в значительной степени рыночные и конкурентные механизмы развития в отличие от жесткого административного управления в рамках вертикальных корпоративных структур.
Государственный и административный ресурс безусловно должен использоваться для обучения, создания условий работы и обеспечения необходимым дорогостоящим инструментарием на начальной стадии развития инновационных компаний. Таким образом, первичной функцией государственно-административного ресурса является инкубация компаний до определенного уровня развития, когда наработанная критическая масса научно-технологических разработок достаточна для работы с потенциальными инвесторами и последующего превращения в венчурное предприятие. К примеру, возможно создание специальных холдингов от госкорпораций в качестве управляющих компаний для инкубаторов.
В дальнейшем государственно-административный ресурс может выступать в качестве координатора, заказчика и инвестора для проектов, важных с точки зрения национальных интересов и государственного строительства. При этом прямое вмешательство бюрократических структур в деятельность инновационных компаний, завершивших период инкубации, должно быть разумно ограничено.
Каждый этап проекта ГЦН является самодостаточным и рассчитан на достижение конкретных результатов, которые могут быть использованы в независимости от дальнейшего продолжения проекта. Предлагаются следущие основные этапы развития центра гражданского электронной инженерияа и производства:
Этап 1: Инкубация компаний и исследовательских лабораторий (1.5 -2 года)
Этап 2: Запуск кремниевой минифабрики и переход к рыночному механизму (2 года)
Этап 3: Расширение центра электронной индустрии и публичное акционирование компаний ядра глобального инновационного парка (2-4 года)
Этап 4: Создание кластеров электронной индустрии и массовое производство (2-4 года)
Этап 5: Развитие кластеров электронной индустрии в глобальный инновационный парк (3-5 лет)
Строгая последовательность этапов необязательна, они могут в значительной степени параллельными и каждый последующий этап может начинаться до завершения полного цикла предыдущего в зависимости от обстоятельств. Кроме того, возможны варианты ускорения отдельных этапов. Ниже приводится краткое содержание активности на каждом этапе ГЦН.
Этап 0: Развертывание подготовки специалистов
Инвентаризация и консолидация имеющихся ресурсов высшей школы и академических институтов региона. Коррекция профиля подготовки специалистов в университетах согласно иерархии электронной инженерии. Издание современных учебников для подготовки и переподготовки специалистов. Разработка концепций инкубаторов для всех уровней электронной инженерии. Разработка предварительной конфигурации кремниевой минифабрики. Работа с потенциальными инвесторами. Разработка детального бизнес-плана следующего этапа. Подготовка рамочного проекта по всем этапам ГЦН.
Этап 1 : Инкубация компаний и исследовательских лабораторий
Создание двух параллельных инкубаторов для компаний-разработчиков электронных устройств (фаблесс-компаний) и разработчиков полупроводниковой технологии. Создание в рамках инкубаторов системы повышения квалификации и обучения специалистов современным методам и инструментарию проектирования электронных устройств. Создание технологического насоса в виде привлечения высококвалифированных специалистов-носителей технологии для расширенного обучения молодых инженеров при работе в общих командах. Проектирование и строительство кремниевой минифабрики совместно с одним из мировых лидеров. Создание бизнес-модели взаимодействия кремниевой минифабрики с инкубированными компаниями и лабораториями.
Этап 2: Запуск кремниевой минифабрики и переход к рыночному механизму
Запуск минифабрики, существенно ускоряющий процесс разработки изделий инновационными компаниями. Переход к рыночному механизму венчурного финансирования инкубированных компаний и лабораторий. Массированное привлечение специалистов-носителей технологии из РФ и зарубежных стран в венчурные компании. Расширенная подготовка инженеров в соответствии с международными стандартами. Создание ядра кластеров компаний всех уровней электронной инженерии.
Этап 3: Расширение центра и акционирование компаний ядра глобального инновационного парка
Акционирование и рост отечественных компаний центра электронной промышленности.
Урбанистическое планирование ядра глобальной технологической зоны для размещения расширяющихся кластеров-групп компаний, строительство технопарков-сателлитов в непосредственной близости от минифабрики. Постепенный переход на собственные библиотеки и IP-ядра при разработке и производстве электронных приборов. Массовая подготовка инженеров в соответствии международными стандартами. Расширение минифабрики для линейки производства по собственной технологии. Параллельное производство по лицензированной и собственной технологии. Создание оператора и строительство кремнивой фабрики массового производства, ориентированной на собственную технологию. Инвестиции в организацию массового производства 300-мм кремниевых пластин в Сосновом Боре Балтийская Кремниевая долина-1 .
Этап 4: Создание кластеров электронной индустрии и массовое производство
Массовое производство на кремниевой фабрике по собственным и лицензированным технологиям.
Урбанистическое планирование глобальной технологической зоны и строительство современных транспортных коммуникаций. Привлечение крупных инвесторов из Ближнего Востока и ЮВА в инфраструктурные объекты (офисы, гостиницы, жилые комплексы, сервис и торговая сеть).
Размещение растущих кластеров собственных компаний и филиалов зарубежных производителей - расширение технопарков-сателлитов в непосредственной близости от фабрики массового производства. Инвестиции в опережающее развитие полупроводниковых технологий и разработку специального оборудования. Привлечение зарубежных высокотехнологичных компаний для строительства еще одной крупной полупроводниковой фабрики и и сопутствующих производств. Расширение массового производства 300-мм кремниевых пластин в Сосновом Боре Балтийская Кремниевая долина-1 .
Этап 5: Развитие кластеров электронной индустрии в глобальный инновационный парк
Массовое строительство жилья и объектов инфраструктуры глобального инновационного парка.
Расширение аэропорта Пулково и строительство регионального аэропорта. Строительство кремниевой фабрики одним из мировых лидеров индустрии. Расширение числа филиалов крупных электронных компаний. Строительство филиалов университетов и университетских городков в глобальном инновационном парке. Массовое привлечение молодых специалистов из других регионов РФ, стран СНГ, Европы, США и Индии.